韓媒:三星和SK推遲申請美國補貼,加速『退出中國』戰略!。

4月11日,韓國媒體《先驅經濟》發表文章稱,為獲得美國政府的半導體補貼,三星電子和SK海力士被要求提交相當於商業機密的核心資料,讓事情變得復雜起來。

這是因為高科技半導體在中國的生產和投資之路幾乎被堵死,而且還擔心受到機密泄露的損害。

但如果不申請補貼,與半導體產業影響力巨大的美國的合作將不可避免地出現差池。

業內預計,韓國企業將通過馬拉松式談判,最大限度地放寬補貼條件,然後正式開始申請。

韓國國內半導體企業認為,三星電子和SK海力士是否申請補助金,將作為衡量三星電子和SK海力士是否有意納入美國主導的半導體供應鏈的標準。

因為美國支付半導體補貼是為了加強對華限制。

即使不接受美國政府的補貼,也很難擺脫掌握半導體產業主導權的美國的影響。

最終,韓國企業綜合考慮與擁有多數半導體制造源泉技術的美國加強合作的必要性、正在進行或計劃在美國進行大規模投資等因素,辦理補貼申請程序。

韓國產業研究院副研究委員慶熙權表示:『美國擁有極紫外線《EUV》曝光設備等在內的光學、蝕刻等半導體相關原創技術,紐約、矽谷等地是半導體行業最尖端技術相關高級人才常駐的地區。

在三星電子強調在系統半導體領域發展的情況下,美國企業的合作是必須的』

但也有不少人反對說,目前美國政府要求提交的資料屬於企業經營機密,因此很難完全接受。

韓國半導體業界也擔心,比起按照美國政府的標準提交資料獲得補貼,因公開經營機密而導致訂單告吹等業務競爭力下降的損失會更大。

韓國半導體業界將根據面臨同樣苦惱的全球代工龍頭臺積電等業界整體的反應,以及26日舉行的韓美首腦會談結果等,在提交期限的最後期限之前,對是否申請補助金進行權衡。

三星電子和SK海力士因不確定性增大,預計將減少業績明顯下滑的中國業務比重。

目前,三星電子在中國西安設有NAND閃存工廠,SK海力士則在大連《NAND》和無錫《DRAM》工廠。

三星電子和SK海力士應該爭取盡可能多的時間,為他們在中國的業務尋求退出戰略。

兩家企業都計劃就今年10月結束的對華半導體設備出口管制延期措施向美方申請重新批準,但不斷提高對華限制力度的美國是否會接受還是未知數。

據了解,韓國企業已經在寬限期結束等各種情況下修改業務計劃。

有專家表示:『即使今年10月延期,美國政府也很有可能將不允許進入中國的設備范圍擴大,事實上采取限制措施』

但也有人預測說,中國的尖端半導體開發出現問題,因此從中長期觀點來看,這將成為韓國的機會因素。

業內人士表示:『依靠當地政府的大力支援,中國半導體企業的技術力量一直在追趕韓國。

從長遠來看,這將成為拉大與中國的技術差距的契機』

韓媒:三星和SK推遲申請美國補貼,加速『退出中國』戰略!。