隨著近日最新出產的高性能芯片大量使用4nm工藝，不少廠商的3nm制程工藝也被提上日程，正式進入到了測試階段，也預計將在2023年年末就會看到3nm制程的產品面向市場。
臺積電、三星和英特爾三家芯片廠商開啟了芯片制程工藝競爭。
前段時間，三星公佈了自家的3nm制程工藝已經達到了可以批量生產的標準，因為三星工藝在驍龍888和驍龍8Gen1兩款芯片上的表現並不盡如人意，所以仍有不少相關機構認為臺積電的3nm會優於三星工藝，但目前仍處在相關芯片工藝參數爆料階段，並不能說明最後使用相關工藝的芯片性能有差別。
今日，據相關媒體報道，三星電子的芯片合同制造業務周二表示，盡管目前全球經濟不景氣，但它計劃到2027年將其先進芯片的產能提高三倍以上，以滿足強勁的需求。
這家僅次於臺積電的世界第二大代工廠的目標是到2025年大規模生產先進的2nm技術芯片，到2027年大規模生產1.4nm芯片，這些芯片將用於高性能計算和人工智能等應用。
據此前報道，三星主要競爭對手臺積電2nm制程將於2025年量產，並且就現在的進度來看，有望領先其競爭對手三星和英特爾。
據報道可知，臺積電先進制程進展順利，3nm將在今年下半年量產，升級版3nm《N3E》制程將於3nm量產一年後量產，即2023年量產，2nm預計於2025年量產。
臺積電2nm預計首次采用納米片架構，相較N3E制程，在相同功耗下頻率可提升10%至15%；在相同頻率下，功耗降低25%至30%。
臺積電總裁魏哲家日前在技術論壇中強調，臺積電2nm將會是密度最優、效能最好的技術，並且市場也看好，臺積電2nm進度將領先對手三星及英特爾。
除臺積電和三星外，英特爾也在這兩年持續在芯片制造方向持續發力，目前雖然還在使用7nm技術，但據相關消息，英特爾已經在多處建立芯片中心，同樣也被爆料將於2025年發佈2nm工藝。