現在，芯片的發展已經成為了一場沒有硝煙的戰爭，誰能夠研制出更先進的芯片，誰就能夠占領科技的最高點，從而獲得巨大的收益。
而在先進芯片的發展當中，已經發展到了三納米階段，隻有三星和臺積電正在激烈的廝殺。
之前，英特爾也是芯片領域的巨頭，但現在，技術層面上已經無法和三星、臺積電相競爭了，短期內也很難追趕上來。
中國的中芯國際也有很大的潛力，想要進軍七納米領域，但是因為老美的行動無法進口到高端光刻機，因此隻能退居二線。
三星一直想要成為代工領域的龍頭老大，為此搶先研發出了三納米芯片工藝，並且對外大張旗鼓的進行宣傳，很多人都認為三星這一行動是在挑戰臺積電的地位，可是三星雖然有了三納米工藝，但良率卻很低，無法得到其他企業的認可。
臺積電眼見三星的三納米領域搶占了先機，自然不肯服輸，於是很快突破了三納米工藝，並且對外舉辦了發佈會，臺積電的技術更加先進和穩妥，無論是產量還是良率，都大大超越了三星。
根據行業機構的推算，臺積電鉆三納米工藝大概有六成到七成的良率，和五納米工藝相差不大，五納米工藝的良率在七成到八成左右。
而三星三納米的良率就非常差勁了，隻有一成到兩成左右，面對這麼低的良率，其他企業自然不敢冒這個風險。
所以哪怕三星更早進入三納米領域，仍然沒有和臺積電叫板的實力，正因為技術上的落後，所以三星一直缺少大客戶，但臺積電幾乎和地球上所有的大型科技企業都有合作，比如聯發科，高通，英特爾，蘋果等等。
雖然，臺積電表示三納米工藝的良率很高，但一直沒有進行量產，實踐是檢驗真理的唯一標準，既然沒有量產，市面上也沒有相關產品，所以很多人都懷疑臺積電的良率根本沒有想象中那麼高。
臺電隻把相關的數據告訴了自己的大客戶，對外界不會進行詳細公佈，這成為了臺積電的核心秘密。
在統計芯片良率方面有兩種測試方法，一種是測試晶元，一種是晶元計算。
在推算臺積電良率的時候，我們發現臺積電一直在使用FinFET工藝，這項工藝非常成熟，無論是七納米芯片還是五納米芯片，都由此加工而來，這說明臺積電的方法是比較穩妥的。
而三星采用了比較新穎的工藝，那就是GAA，雖然這項工藝有先進之處，但也帶來了比較大的風險。
雖然市面上還沒有見到臺積電生產的三納米芯片，但全世界眾多客戶都和臺積電達成合作，這已經證明了臺積電的工藝之強大。
在眾多客戶當中，隻有高通做了兩手準備，既讓臺積電生產，也讓三星生產。
在芯片領域，每一項先進的工藝都需要投入很大的研發成本，隻有獲得大批量的客戶訂單才有可能收回成本，不然所有的開支都將由企業自己承擔，會給企業帶來很大的困難。
雖然三星的良率比較低，但他一直在想辦法解決這個問題，為此和一家優秀的美國企業進行合作，讓工藝得到了提升。
三星在三納米的工藝上投入了大量的研發資金，隻有提高了良率，才能獲得客戶認可，才能把所有的費用收回來，而且三星野心很大，一直想在芯片領域超過臺積電，所以這是三星迫切要解決的問題。
根據專業機構了解到，三星會使用全新的EUV薄膜讓透光率在九成以上，這樣會讓良率變得更高。
生產薄膜的薄膜企業得到了三星的投資，在三星的要求之下，能夠讓透光率達到94%，這樣可以讓光刻機免受污染，從而讓芯片良率提高。
這一點已經超過了其他的芯片加工企業，至於真正的效果如何，讓我們等待三星的產品問世吧。
