《全球TMT2022年11月8日訊》三星宣佈，已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb《太字節》三比特單元《TLC》第8代V-NAND。
1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
三星電子第八代V-NAND，1Tb
三星采用3D縮放《3D scaling》技術，減少表面積並降低高度，同時避免了縮小時通常會發生的單元間的幹擾。
通過這項技術，三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度，使三星的存儲密度達到了新的高度。
基於最新NAND閃存標準Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其輸入和輸出《I/O》速度高達2.4 Gbps《千兆比特每秒》，相比上一代提升了1.2倍，這可以滿足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。