12月21日消息，三星電子宣佈開發出采用業界最先進12nm工藝的16Gb(千兆位)DDR5 DRAM(第5代)，並於近期完成了與AMD的兼容性驗證。
三星電子通過應用高介電(high-k)材料和改進電路特性的創新設計來增加存儲電荷的電容器的容量，從而完成了這一過程。
這代DRAM是利用多層 EUV(極紫外)技術開發的，擁有三星最高的DDR5 Die密度(Die density)，同時也具有業界最高水平的集成度。
12nm級DRAM相較上一代晶圓生產力提升約20%。
采用DDR5標準的新款DRAM最高支持7.2Gbps的運行速度——這意味著可以在一秒鐘內處理兩部30GB超高清電影。
與上一代產品相比，新DRAM的功耗有望節省約23%。
三星電子計劃從明年開始量產12nm級DRAM，同時與全球IT企業合作，引領下一代DRAM市場。
該產品將提供給數據中心、人工智能和下一代計算等各種應用。
『業界最先進的12nm級DRAM將成為DDR5市場全面擴張的催化劑，』三星電子內存部門DRAM開發辦公室負責人(副總裁)Lee Joo-young說。
『能效提升將有助於它為數據中心、人工智能和下一代計算領域的客戶提供可持續的商業環境』
AMD首席技術官 (CTO) Joe Macri 表示：『突破技術界限的創新需要行業合作夥伴之間的密切合作』他表示，AMD與三星電子的再度合作主要圍繞在Zen平臺上優化和驗證DDR5內存產品展開。
行業內DDR5內存的推進正在緊鑼密鼓地進行中。
2021年10月，第12代英特爾酷睿 Alder Lake 桌面處理器支持了DDR5內存;SK海力士則是全球首家正式發佈DDR5內存產品的廠商，量產DDR5內存顆粒的計劃正在穩步推進。