三星開始量產第8代V-NAND。

11月7日電，三星宣佈已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb《太字節》三比特單元《TLC》第8代V-NAND。

基於最新NAND閃存標準Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其輸入和輸出《I/O》速度高達2.4 Gbps《千兆比特每秒》，相比上一代提升了1.2倍，這可以滿足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

來源：財聯社