來源：EETOP綜合整理
據外媒援引美國商務部官員的報道稱，美國政府將允許頂級芯片制造商三星、SK海力士和臺積電保留和擴建其在中國現有的內存和邏輯晶圓廠。
如果信息屬實，那麼這三家公司將能夠從美國制造商那裡為他們在中國的晶圓廠購買新的晶圓廠設備工具。
美國商務部負責工業和安全事務的副部長艾倫·埃斯特維茲(Alan Estevez)透露，美國政府計劃繼續對韓國和臺灣地區的芯片制造商給予豁免，這些豁免與旨在限制中國半導體行業能力的最新美國出口管制規則有關。
這些最初於去年 10 月授予的豁免將於今年 10 月到期。
出席討論的人士表示，Estevez 在與半導體行業協會的討論中做出了確認，稱豁免預計將在『可預見的未來』持續存在。
然而，美國商務部選擇拒絕就此事發表任何額外評論。
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美國的晶圓廠設備 (WFE) 制造商必須先獲得美商務部的出口許可證，才能出口能夠生產在10nm/14nm/16nm 或更小節點上使用非平面晶體管的邏輯芯片、具有 128層或更多層的 3D NAND 芯片，以及半間距為 18nm 或更小的 DRAM IC，供中國客戶使用。
三星、SK 海力士和臺積電等芯片制造商必須經常升級他們的晶圓廠，以保持其產品的競爭力。
這三家公司都獲得了美國政府的豁免，允許在 2022 年 10 月至 2023 年 10 月期間向他們在中國工廠出口必要的生產設備，並有可能將豁免再延長一年。
顯然，美國政府現在願意允許三星、SK 海力士和臺積電在 2024 年 10 月之後為其在中國的半導體生產設施獲得美國半導體制作工具。
但是根據美國 CHIPS 和科學法案獲得國家資助的條件將 禁止 受益公司投資其位於中國的晶圓廠。
這項政策可能會對三星、SK海力士和臺積電等國際公司產生深遠影響，這些公司在中國經營著重要的設施，並且是美國資助的潛在申請者。
根據目前的條款，如果這些公司中的任何一家獲得 CHIPS 資金，他們將無法在 10 年內投資擴建或升級其在中國的晶圓廠。
目前，SK海力士是中國唯一的DRAM生產商。
目前還不清楚它在那裡使用了哪些生產技術。
據 TrendForce稱，三星和 SK 海力士都在中國使用其 128 層工藝制造 3D NAND。
與此同時，臺積電位於中國江蘇省南京市的 Fab 16 在該公司的 16 納米 FinFET 節點上生產芯片。
目前，16nm FinFET和 128 層 3D NAND 制造工藝具有競爭力。
但在某個時候，它們將變得過時，如果美國芯片法補貼條款符合籌碼法案沒有改變的話，
他們將不能根據與美國政府的協議投資升級他們的中國晶圓廠，將不得不被迫做出決策。
不過，對於韓國的半導體制造商由於中國是他們最大的出口市場，韓國政府和制造商要求美國重新考慮出口限制，產業高層透露，一些韓國制造商感到不安，他們正在考慮放棄美國政府的補貼，此舉將打擊拜登政府頒佈的芯片法案。
事實上，美國並不尋求與中國脫鉤，如美國財政部長葉倫《Janet Yellen》在多次談話表示，與中國經濟完全分離將對美中兩國帶來災難等級的影響。