全球芯片業龍頭企業之一的三星電子正在芯片代工領域發力，近日更是發佈明確的路線圖，希望未來幾年能奪得更多市場份額。
當地時間周二《6月27日》，三星電子在美國加州矽谷舉辦『2023三星晶圓代工論壇』。
會上，三星電子宣佈將提高芯片代工產能，並引進更先進的制程技術。
此外，三星還發佈了該公司2納米等先進制程的具體路線圖。
2納米制程
三星電子去年6月實現基於全環繞柵極《GAA》技術的3納米工藝半導體產品量產，之前也公佈了將於2025年起量產基於GAA技術的2納米工藝半導體。
據悉，GAA技術是新一代半導體的核心制程技術，能夠提升數據處理速度、電力效率和晶體管性能。
與目前最先進的3納米技術比較，三星電子的2納米制程將提高性能12%、並節能25%。
周二當天，三星電子在論壇上提出了關於2納米工藝半導體的具體時間表：自2025年起首先將該技術以用於移動終端；到2026年將2納米工藝適用於高性能計算機集群《HPC》；並於2027年將其用途擴至車用芯片。
展望未來，三星還確認了在2027年開始批量生產首批1.4納米芯片的計劃。
三星電子代工事業部總經理 Siyoung Choi博士表示，『三星代工一直以領先的技術創新曲線來滿足客戶的需求，今天，我們相信，我們基於GAA的先進節點技術將有助於支持客戶使用人工智能應用程序的需求。
確保客戶的成功是我們代工服務的最核心價值』
拓展代工路線
除了推進先進制造工藝外，三星電子公司還決定拓展專業芯片代工服務。
首先，三星將從2025年起提供人工智能技術所需的8英寸氮化鎵《GaN》功率半導體的代工服務，該半導體的特色是高性能低電耗，目標應用是消費者、數據中心和汽車應用。
同年，三星還將開始生產支持6G網絡技術的5納米射頻芯片。
該射頻芯片將采用三星的5納米工藝制造，其功率效率將比之前的14nm射頻芯片提高40%，面積則減少50%。
與此同時，公司還力爭提高生產能力，通過增加無塵室擴產，服務更多的客戶。
三星電子計劃到2027年，該公司的無塵室總空間將比2021年擴大7.3倍。
為此，三星電子表示將在韓國平澤工廠和美國得克薩斯Taylor工廠新建生產線。
此外，公司還宣佈將與相關企業構建先進封裝協商機制『MDI《Multi Die Integration》同盟』， 領導新一代封裝市場。
爭搶領跑位
2納米工藝被視為下一代半導體制程的關鍵性突破，它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗。
作為三星最大競爭對手的臺積電，該公司於去年研討會上就披露了其2納米芯片的早期細節。
臺積電的2納米芯片將采用N2平臺，引入GAAFET納米片晶體管架構和背部供電技術。
臺積電推出的采用納米片晶體管構架的2納米制程技術，在相同功耗下較3納米工藝速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。
美國芯片巨頭英特爾也為先進制程做好了準備。
該公司已經完成了Intel 20A和Intel 18A的制程工藝的開發《分別對應2納米和1.8納米》。
Intel 20A工藝將引入兩種全新的技術，PowerVia背部供電技術和RibbonFET全環繞柵極晶體管。
RibbonFET就是基於GAA技術，隻是英特爾將其命名為了RibbonFET。
英特爾還表示，將於2024年量產Intel 20A、以及更加先進的Intel 18A。
根據英特爾的說法，Intel 18A的性能會完全超過臺積電和三星的2nm工藝。
此外，日本的一家芯片合資企業Rapidus也不容小覷。
該公司由索尼集團、豐田汽車、軟銀、鎧俠、日本電裝等八家日企共同成立，還獲得了日本政府的大力支持。
該公司的目標是在2025年至2030年間開始高端芯片。
去年末，Rapidus宣佈與IBM公司建立戰略合作夥伴關系，共同開發2納米節點技術。
今年2月，Rapidus公司將其尖端2納米芯片工廠的選址定在了千歲市，該公司計劃於2025年啟動這條生產線，並於2027年量產。
4月，Rapidus社長還公佈了一項更大膽的計劃，興建1納米制程的芯片廠房。
本文源自財聯社