前段時間，三星公佈了自家的3納米制程工藝已經達到了可以批量生產的標準，但因為三星工藝在驍龍888和驍龍8Gen1兩款芯片上的表現並不盡如人意，所以仍有不少相關機構並不看好三星的工藝。
所以，據之前按相關媒體報道稱，三星已經與Silicon Frontline Technology公司合作，以提高其半導體芯片在生產過程中的良率，以便於在3納米工藝上趕超其他廠商。
報道中稱，三星電子先進制程良率非常低，自5納米制程開始一直存在良率問題，在4納米和3納米工藝上情況變得更加糟糕。
據傳三星3 納米解決方案制程自量產以來，良率不超過20%，量產進度陷入瓶頸。
三星目前在4納米和5納米工藝節點上出現了與產量有關的問題，該公司不希望這個問題再次出現在3納米工藝上。
因此希望通過和 Silicon Frontline Technology公司合作，幫助三星晶圓廠進行前端工藝和芯片性能改進。
而據之前的報道，3納米工藝的改進目前仍在進行中，4納米的工藝提升卻初見成效。
據鳳凰網科技報道稱，三星4納米芯片制程良率已改善、接近5納米的水準，下一代4納米制程將提供更高的良率。
據悉，三星電子去年推出了4納米芯片技術，但由於良率不高，導致部分客戶轉投臺積電，包括之前使用三星4納米工藝推出兩款芯片的高通公司，並且三星電子也不得不在其Galaxy S22手機中使用驍龍 8 Gen1芯片，而不是自家的Exynos 2200芯片。
然而今年以來，通過多方改進，三星電子在4納米工藝方面取得了一定的進步，良率和產能都有所提升。
隨著4nm的改進，今日消息，根據三星代工今天在年度三星代工論壇上公佈的最新工藝技術路線圖，該公司計劃在2025年推出2納米級的SF2工藝，2027年推出1.4納米級的SF1.4工藝。
與此同時，該公司還公佈了SF2工藝的一些特性。
三星的SF2工藝是在今年早些時候推出的第三代3納米級《SF3》工藝的基礎上進一步優化的。
與SF3相比，SF2工藝可以在相同的頻率和復雜度下提高25%的功耗效率，在相同的功耗和復雜度下提高12%的性能，在相同的性能和復雜度下減少5%的面積。
為了讓SF2工藝更具競爭力，三星還將為該工藝提供一系列先進的IP組合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。
繼SF2之後，三星將在2026年推出針對高性能計算《HPC》優化的 SF2P，以及於2027年推出針對汽車應用優化的SF2A工藝。
同樣在2027年，該公司還計劃開始使用SF1.4《1.4納米級》制造工藝進行量產。
三星的2納米級工藝將與臺積電的N2《2納米級》工藝大致同步，比英特爾的20A工藝晚一年左右。
目前關注度的較高的芯片制造廠商均在近期公佈了自己旗下制程工藝的發展時間，感興趣的小夥伴可以保持關注。