韓國《亞洲日報》6月28日消息，三星電子表示，將利用最尖端的半導體技術提速人工智能《AI》時代進程。
近日，三星電子在美國加利福尼亞北部的矽谷舉行『三星代工論壇2023』，發表關於針對AI時代變革下的半導體發展藍圖。
代工事業部社長崔世榮表示，眾多合作企業正積極開發生成式AI專用半導體，三星電子也為滿足AI市場的需求和技術趨勢，將對新型全環繞柵極晶體管技術《GAA·Gate All Around》進行升級，推動AI技術革新。
崔世榮強調，將與合作夥伴協同持續研發半導體尖端技術，使晶片等半導體技術更加多樣化，加速『後摩爾時代』的到來。
據韓聯社報道，三星電子表示，自2025年起以移動終端為中心，到2026年將2納米工藝適用於高性能計算機集群《HPC》，並於2027年將其用途擴至車用芯片。
與此同時，該公司還決定從2025年起提供人工智能技術所需的高性能低電耗氮化鎵《GaN》功率半導體晶圓代工服務。
為此，公司將同相關企業構建先進封裝協商機制『MDI《Multi Die Integration》同盟』。
三星電子介紹，通過這些措施，公司力爭在2027年將半導體生產能力提升至2021年的7.3倍。