三星在 2022 年 6 月底正式宣佈量產了第一代 3nm GAA 《 SF3E 》制程技術，這也是三星首次采用全新的 GAA 《 Gate-All-Around 》架構晶體管技術，打破了 FinFET 原有的性能限制，藉由降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還透過增加驅動電流來提升芯片性能。
如今，根據外媒報道，三星將進一步介紹第二代 3nm 制程技術，其效能將較第一代 3nm 制程技術有所優化。
由於， 5 月 11 日臺積電將舉行本年度技術論壇的臺北場活動，三星的動作大有較勁的味道。
報道指出， 2023 年 VLSI 技術和電路研討會將於 2023 年 6 月 11 至 16 日在日本京都舉行。
而根據官方預告，三星將介紹名為 SF3 《 3GAP 》的第二代 3nm 制程技術，該制程技術預計將使用第二代 MBCFET 架構，在第一代 3nm GAA 《 SF3E 》基礎上做進一步的優化。
根據三星表示，與4nm低功耗制程技術《SF4》相較，第二代3nm制程技術在相同功率和晶體管數量下，運算性能提高了22%，在相同頻率和復雜性下的功耗降低了34%，面積縮小了21%。
不過，三星並沒有將其 SF3 與 SF3E 進行比較，也沒有關於 SRAM 和模擬電路縮放方面的數據。
事實上，與傳統FinFET 技術相比，GAA 技術的主要優點之一是泄漏電流減少。
另外，通道厚度可以調整，以提高性能或降低功耗。
三星表示，第二代3nm制程技術提供了更大的設計靈活性，使用不同寬度的MCFET。
而第二代3nm制程技術，三星方面表示，將有機會在2024年與臺積電的先進制程技術上展開競爭。
前幾天，三星集團旗下設備解決方案部門總裁慶桂顯《Kye hyun Kyung》在媒體訪問時坦承，其半導體制程上落後於臺積電。
不過，他認為三星更早地采用GAA晶體管技術是一項優勢，
報道進一步指出，三星目前也還在改進其4nm制程技術，目標是透過SF4P《4LPP+》縮小與競爭對手之間的差距，預計會在2023年下半年量產。
此外，三星還計劃推出用於高性能CPU和GPU的SF4X《4HPC》。
不過，在幾乎同一時間，臺積電也會帶來名為N3P的增強型3nm制程技術。
因此，屆時的競爭究竟誰能勝出，目前還猶未可知。